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小野 泰弘*; 社本 真一*; 佐藤 圭*; 神谷 毅*; 佐藤 敏雄*; 岡 泰夫*; 山口 康男*; 大山 研治*; 森井 幸生; 梶谷 剛*
Journal of Physics and Chemistry of Solids, 60(8-9), p.1253 - 1255, 1999/00
被引用回数:2 パーセンタイル:17.06(Chemistry, Multidisciplinary)半磁性半導体ZnMnTeを中性子回折法と冷中性子散乱法により100K以下で調べた。磁気散漫散乱強度分布の測定から2種類の反強磁性短距離秩序が共存することが判明した。タイプI反強磁性短距離秩序成分は、5テスラの磁場下ではスピングラス転移温度Tg=17K以下で減少する。さらに、Tgで準弾性散乱強度が増大することや14K付近で非弾性散乱ピークが1.0MeVあたりに広く出現することを見いだした。